具體影響分析

1.電阻率保持高水平

當(dāng)AlN體積含量從0%增加至46%的高比例時，復(fù)合材料的體積電阻率始終維持在101?Ω·m的數(shù)量級，表面電阻率維持在101?Ω的數(shù)量級。

這兩個數(shù)值是典型高性能絕緣材料的標(biāo)志，表明復(fù)合材料在電氣上仍然是近乎完mei的絕緣體。

2.影響機制解釋（為什么變化不大？）

AlN自身的本征特性是關(guān)鍵：AlN不僅是一種高熱導(dǎo)率的陶瓷，其本身也具有很高的電阻率（通常>101?Ω·m）。因此，當(dāng)它作為填料分散在環(huán)氧樹脂基體中時，它本身并不會引入導(dǎo)電通路或降低體系的整體絕緣性。

“-絕緣"復(fù)合體系：該復(fù)合材料屬于“高絕緣性基體（環(huán)氧樹脂）+高絕緣性填料（AlN）"的復(fù)合模式。兩者的復(fù)合沒有改變體系的絕緣本質(zhì)。

填料的分散狀態(tài)：在所述含量范圍內(nèi)（≤46%），AlN顆粒可能被絕緣的環(huán)氧樹脂基體有效包覆和隔離，沒有形成連續(xù)的、可供電子直接傳輸?shù)膶?dǎo)電網(wǎng)絡(luò)或隧道電流通路。

與介電性能變化的對比

體積/表面電阻率：基本保持不變（保持高絕緣性），1.AlN自身電阻率高；2.未形成導(dǎo)電通路。

介電常數(shù)(εr)：顯著升高后趨于平緩，1.AlN的介電常數(shù)（~15）高于環(huán)氧樹脂；2.界面極化增強。

介電損耗(tanδ)：下降，AlN的介電損耗（0.0018）低于環(huán)氧樹脂，拉低了整體損耗。

重要區(qū)分：

電阻率：反映材料阻止電流通過（導(dǎo)電性）的能力，主要由材料中的可遷移自由電荷數(shù)量決定。AlN不提供自由電荷，故不影響電阻率。

介電常數(shù)：反映材料在電場下存儲電荷（極化）的能力，與束縛電荷在電場中的位移有關(guān)。高介電常數(shù)的AlN和其引入的界面都能增強極化，故使介電常數(shù)升高。